Shirika la Umeme la Mitsubishi lilitangaza ujio wa moduli sita mpya za J3-Series za semiconductor za umeme kwa magari mbalimbali ya umeme (xEVs), zikijumuisha ama silicon carbide metal-oxide semiconductor field-effect transistor (SiC-MOSFET) au RC-IGBT (Si) (reverse conducting IGBT with on IGBT on a compact for single design for aability). tumia katika vibadilishaji umeme vya magari ya umeme (EVs) na magari ya mseto ya mseto (PHEVs).
Bidhaa zote sita za J3-Series zitapatikana kwa usafirishaji wa sampuli kuanzia Machi 25. Moduli mpya za nishati zitaonyeshwa kwenye Maonyesho ya 38 ya Teknolojia ya Kielektroniki ya R&D, Utengenezaji na Ufungaji (NEPCON JAPAN 2024) kuanzia Januari 24 hadi 26 huko Tokyo Big Sight, Japani, pamoja na maonyesho mengine ya Amerika Kaskazini, Amerika Kaskazini na Uchina.
Kadiri vidhibiti vya umeme vinavyoweza kubadilisha umeme kwa njia ifaavyo vikipanuka na kubadilika kulingana na mipango ya uondoaji kaboni, mahitaji yanaongezeka kwa visemiconductors vya nishati ya SiC vinavyotoa upotevu wa nishati uliopunguzwa sana.
Katika sekta ya xEV, moduli za semiconductor za nguvu hutumiwa sana katika vifaa vya kubadilisha nguvu kama vile vibadilishaji vigeuzi vya injini za kiendeshi za xEV. Mbali na kupanua wigo wa xEVs, moduli za kompakt, zenye nguvu ya juu na zenye ufanisi wa hali ya juu zinahitajika ili kupunguza zaidi betri na vibadilishaji umeme. Lakini kutokana na viwango vya juu vya usalama vilivyowekwa kwa xEVs, semiconductors za nguvu zinazotumiwa katika motors za gari lazima ziwe za kuaminika zaidi kuliko zinazotumiwa katika matumizi ya jumla ya viwanda.
Utengenezaji wa bidhaa hizi za SiC uliungwa mkono kwa kiasi na Shirika la Maendeleo ya Teknolojia ya Nishati na Viwanda la Japan (NEDO).
Chanzo kutoka Bunge la Gari ya Kijani
Kanusho: Maelezo yaliyoelezwa hapo juu yametolewa na greencarcongress.com bila ya Cooig.com. Cooig.com haitoi uwakilishi na dhamana kuhusu ubora na uaminifu wa muuzaji na bidhaa.
