Mitsubishi Electric wypuści próbki modułów SiC i Si Power Module serii J3; mniejsze, bardziej wydajne falowniki dla pojazdów xEV
Mitsubishi Electric Corporation ogłosiło rychłą premierę sześciu nowych modułów półprzewodnikowych mocy serii J3 przeznaczonych do różnych pojazdów elektrycznych (xEV), wyposażonych w tranzystor polowy z półprzewodnikiem metalowo-węglikowym (SiC-MOSFET) lub RC-IGBT (Si) (odwrotnie przewodzący tranzystor IGBT z jednym IGBT i jedną diodą na jednym chipie) o kompaktowej konstrukcji…
